Памяти много не бывает, подумали инженеры Samsung, и выпустили eUFS-накопитель на 1 терабайт для смартфонов. На сегодняшний день это рекордный объем для памяти такого типа.
Накопитель создан на основе флэш-памяти V-NAND пятого поколения и способен работать с данными до десяти раз быстрее, чем microSD-карты объемом 512 гигабайта. Скорость последовательного чтения достигает 1000 МБ/с, что в 2-3 раза быстрее SATA lll SSD, а записи — 260 МБ/с.
В компании рассказали, что терабайта памяти хватит для хранения почти трехсот 10-минутных 4K-роликов, при этом останется место для системы и всех необходимых приложений. К тому же в дополнение к eUFS-памяти в устройства Samsung можно установить microSD-карту.
Массовое производство чипов памяти уже началось и, вполне вероятно, одним из первых устройств с таким объемом накопителя станет Samsung Galaxy S10 Plus, выход которого состоится 20 февраля.
